怎么知道内存的最佳时序
内存时序是什么意思？
内存时序是什么意思？
存储器时序(英文:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
它们通常被写成由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。
第四个参数(RAS)经常被省略，有时会增加第五个参数(命令速率)，通常是2T或1T，也写作2N和1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的延迟时间。数字越小，通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存时序该怎么看？
答:查看:时序的步骤 的存储芯片如下:1 .第一，有两个容量和频率相同的内存条，可以看看内存条的时序。这个时候可以说时间顺序越低越好，就像，一个CL14，一个CL16，所以CL14肯定是好的。
2.其次，当你需要给电脑加内存条的时候，你需要先看看电脑原来的DDR。比如DDR4就比DDR3好很多。
3.最后比如8g加8，这里是8G内存的容量。一般在跑内存的时候，会先看容量。尤其是需要再装一个的时候，一定要看清楚自己的电脑有多少容量，加的时候选择同样的内存。
内存条时序是什么？
存储器时序(英文:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写成由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略，有时会增加第五个参数(命令速率)，通常是2T或1T，也写作2N和1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的延迟时间。数字越小，通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存四个时序分别是什么？
答:内存的四个时序是CL、tRCD、tRP和tRAS。
记忆序列中四个数字对应的参数依次是CL，tRCD，tRP，tRAS，这四个代码都是缩写。
第一个CL是CAS Latency，描述内存列地址访问的延迟时间，也是时序中最重要的参数；
第二个tRCD，RAS到CAS延迟，指的是存储行。地址传输到列地址的延迟时间；
第三个tRP，即RAS预充电时间，代表存储线地址选通cas延迟；
第四个tRAS，RAS有效时间，描述行地址被激活的时间。